怀远配资上海贝岭申请沟槽型碳化硅MOSFET、模组和电子设备专利, 实现同时减小漏源电容Cgd和漏源电容Cds

金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海贝岭股份有限公司申请一项名为“沟槽型碳化硅MOSFET、模组和电子设备”的专利，公开号CN120224743A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本公开提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET、模组和电子设备，MOSFET包括：从下到上的金属化漏极、N型碳化硅衬底、N型碳化硅外延层、二氧化硅层间介质和金属化源极；金属化源极分别与N型碳化硅外延层和二氧化硅层间介质的顶部连接；N型碳化硅外延层包括位于N型碳化硅外延层的顶部中间并通过刻蚀形成的栅极沟槽；栅极沟槽内垂直设置屏蔽栅极和位于屏蔽栅极的上方的栅极，栅极和屏蔽栅极被二氧化硅层间介质包围并分隔开，屏蔽栅极的顶部接源电位。

天眼查资料显示，上海贝岭股份有限公司，成立于1988年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本70892.3303万人民币。通过天眼查大数据分析，上海贝岭股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目78次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息641条，此外企业还拥有行政许可76个。

本文源自：金融界

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